Los SSD PLC serán aún más densos que los QLC
Tras el lanzamiento de los SSD QVO de Samsung, hicimos un pequeño análisis por el revuelo que se había formado en torno a la durabilidad de estas celdas QLC. Aunque es cierto que cada celda soporta un mayor número de reescrituras, hay que tener en cuenta que estos SSD también tienen más capacidad de almacenamiento; al menos la gama QVO, con versiones de 1, 2 y 4 TB. Con ello, se consigue un almacenamiento más compacto, más barato y con menor consumo energético, pero con una durabilidad de la mitad. Así, un SSD QLC de 1 TB tiene la misma durabilidad que uno TLC de 500 GB, y futuros controladores trabajarán para que la durabilidad no caiga tanto en futuras revisiones.
Por ello, no es el fin del mundo, y gracias a estos SSD conseguimos una reducción de precios y un aumento de la densidad. Sobre el siguiente paso de la industria ha hablado Toshiba, que ha afirmado que ya tiene prototipos funcionales de SSD con memorias PLC (Penta-Level Cell) (no confundir con un PLC para el hogar), con 5 bits por celda, donde cada celda tiene 32 capas. WD y Sandisk también tendrían su propio prototipo.
El prototipo presenta algunos retos técnicos
Sin embargo, hay muchas dudas sobre si la tecnología disponible es capaz de hacer frente al complejo proceso productivo que requieren estas dos memorias, ya que serían necesarios 32 tipos diferentes de voltaje a una escala nanométrica, los cuales han de ser leídos correctamente por el controlador y dificultan la viabilidad de la tecnología actualmente. Además, estas memorias PLC son una adaptación de QLC.
De momento, Toshiba ha planificado ya las generaciones de sus chips BiCS Flash, donde la quinta generación llegará al mercado dentro de poco con PCIe 4.0 con un ancho de banda de 1.200 MT/s. El resto irán coincidiendo con futuros lanzamientos del estándar PCIe, con BiCS Flash Gen 6 para PCIe 5.0 con hasta 1.600 MT/s, y BiCS Flash Gen 7 para PCIe 6.0 con hasta 2.000 MT/s. Con un BiCS4 bajo PCIe han conseguido alcanzar ya los 6,7 GB/s.
Toshiba también ha hablado de su memoria XL-Flash, que es una respuesta a la V-NAND (Z-NAND) de Samsung, que es propietaria, e Intel Optane, y que busca reducir la diferencia entre la RAM y NAND que hay actualmente, tal y como Intel ha intentado hacer con Optane. Empezarán a producirlos en masa a partir de 2020.
Fuente: Tom's Hardware | adslzone
