7 nm LPP: el tamaño del Snapdragon 855 que empezará a fabricarse a finales de año o principios de 2019
No se esperaba que Samsung tuviera lista tan pronto la tecnología necesaria para crear chips de 7 nanómetros con EUV (luz ultravioleta extrema). Este proceso EUV, como ya comentamos hace unos meses, es realmente complejo de domar, y se creía que no iba a llegar hasta dentro de varios años. Para ello, han invertido casi 6.000 millones de dólares en una fábrica en Hwaseong, Corea del Sur, con la que esperan disparar la producción de estos chips a partir de mediados de 2019.
Además de haberse adelantado medio año, Samsung ya ha firmado un acuerdo con Qualcomm para fabricar nuevamente el Snapdragon 855. La compañía se encuentra trabajando a marchas forzadas para superar a otros competidores en la industria de los semiconductores, entre los que se incluye TSMC.
Los 7 nm LPP (Low Power Plus) creados con EUV permitirán crear chips un 40% más pequeños, con un 35% menos de consumo energético, y con un 10% más rendimiento. Estas cifras puede que varíen ligeramente en el Snapdragon 855, ya que podrían hacer un chip más grande, o sacrificar la bajada de consumo con tal de subir algo el rendimiento.
Samsung ya tiene las máquinas donde creará las obleas del Snapdragon 855
En total, Samsung tiene ya listas 10 máquinas capaces de crear chips de 7 nm usando EUV, y espera empezar a producir el Snapdragon 855 a finales de año o muy a principios del que viene. Esto parece acallar los rumores de que Qualcomm podría haber decidido irse con TSMC.
Gracias a haber finalizado todos los aspectos técnicos relacionados con los 7 nanómetros, los ingenieros y diseñadores de Samsung ya están trabajando en el siguiente proceso, que bajará a los 5 nanómetros. Ambas cosas le van a permitir a Samsung ganar experiencia con la tecnología de luz ultravioleta, así como para convertirse en el primer fabricante en conseguir chips con nanómetros de un solo dígito.
Con esta tecnología se espera que lleguen incluso a 1 nanómetro, lo cual estaría peleando ya con los límites físicos del silicio, aunque para esto falta por lo menos una década. Los siguientes procesos que vamos a ver son de 7 y 5 nanómetros, pasando posteriormente a los 3 nanómetros. Los 5 nanómetros no llegarían hasta 2021, por lo que para el año que viene y el siguiente probablemente ocurra lo mismo que en los últimos dos años y se repitan tamaños de fabración.
