Martes, Octubre 23, 2018

La memoria de los móviles de 2018 será dos veces más rápida que un SSD

toshiba-memoria-3d-nand-flash

Cada vez se van sabiendo más datos de los componentes que usarán los móviles en 2018. La semana pasada conocimos más datos del Snapdragon 845, como que estará fabricado en 10 nanómetros (otra vez) y que incluirá mejoras en LTE y WiFi. También supimos en septiembre que el GPS va a ser más preciso y gastará menos batería gracias a Broadcom. Ahora, llegan las mejoras que tendremos en los chips de almacenamiento del móvil con UFS 2.1.

Toshiba ya tiene listas las memorias para móviles de 2018

Y es que Toshiba ha anunciado hoy que ya ha empezado a enviar a los fabricantes de móviles las primeras muestras de sus chips de almacenamiento basados en las nuevas memorias BiCS FLASH 3D NAND TLC de 64 capas. Actualmente, la mayoría de chips de almacenamiento de nuestros móviles están fabricados por Samsung o por Toshiba.

Estos nuevos chips son compatibles con la nueva especificación UFS 2.1, y aunque la compañía todavía no ha desvelado cuando va a empezar a enviar a los fabricantes las unidades finales, es de esperar que estos sean los chips de almacenamiento que vamos a ver en los móviles de cara a 2018. Los chips que han enviado a fabricantes son los de 64 GB, mientras que el resto de tamaños empezará a enviarse a partir de este mes de diciembre.

Capacidades de 32 a 256 GB, y velocidad de hasta 900 MB/s de lectura secuencial

Estos chips hacen uso del estándar UFS 2.1, aprobado por la JEDEC en abril del año pasado. Estará disponible en configuraciones de 32, 64, 128 y 256 GB. Según afirma la compañía, la velocidad de lectura secuencial será de hasta 900 MB/s, mientras que la de escritura secuencial se quedará en 180 MB/s para los modelos de 64 o más GB (el de 32 GB es más lento por su menor paralelización). Las memorias actuales llegaban hasta los 600 MB/s de lectura.

La compañía promete que también hay mejoras en la lectura aleatoria, las cuales son una de las principales ventajas de las memorias NAND. En concreto, con respecto a la generación anterior, la velocidad de lectura y escritura aleatorias aumentan un 200 y un 185%, respectivamente. La velocidad máxima puede llegar incluso a duplicarse si se hace uso de dos líneas, pudiendo superar los 1,5 GB/s de velocidad de lectura.

 

Fuente: Toshiba | adslzone

¿Quién está en línea?

Hay 209 invitados y ningún miembro en línea

Contador de Visitas

12240515
Hoy Hoy 1232
Ayer Ayer 1473
Esta semana Esta semana 2705
Este mes Este mes 32792
Total de Visitas Total de Visitas 12240515

Día con más
visitantes

10-19-2018 : 1721

Gracias por su visita