Viernes, Octubre 20, 2017

MRAM: la memoria RAM no volátil que podría revolucionar los dispositivos móviles

Mientras en la actualidad utilizamos memoria DRAM en su versión DDR4, y en los próximos años recibiremos DDR5, otros fabricantes se encuentran en la actualidad diseñando otros tipos de memoria que solucionen algunas de las limitaciones que presenta en la actualidad la memoria RAM, como la ReRAM o la MRAM.

MRAM: la memoria RAM no volátil de Samsung igual de rápida que la DRAM

El principal inconveniente con el que cuenta la memoria DRAM actual es su volatilidad. Al ser volátil, es necesario recargar los datos que se almacenan en ella varias veces por segundo, por lo que su eficiencia energética es menor que en otros tipos de memoria. Por ello, hacer que esta memoria sea sólida ayudaría a que la eficiencia energética se disparara, algo muy importante en móviles y portátiles.

Fue el pasado mes de junio cuando Samsung e IBM anunciaron que habrían conseguido desarrollar un nuevo proceso de fabricación de memoria RAM no volátil que era hasta 100.000 veces más rápida que la memoria flash actual, y nunca se desgastaba. Esta memoria fue bautizada como MRAM, o RAM magnetorresistiva o magnética.

Esta memoria utiliza un sistema llamado spin-transfer torque, o transferencia de torsión de espín (conocido en física como la rotación de una partícula elemental). El espín de electrones aplica una corriente sobre el material magnético y lee y escribe los datos en función de los cambios en el valor de la resistencia.

Tendremos prototipo y presentación a finales de mayo

Según apunta un informe, Samsung revelará esta nueva memoria el próximo 24 de mayo en el Foundry Forum. La empresa LSI Business Department tendría ya diseñado un prototipo de un chip SoC con memoria MRAM en su interior, que probablemente también verá la luz en el evento celebrado a finales de mayo.

Otra de las ventajas de la memoria MRAM es que, además de ser más rápida que la memoria flash, también es más pequeña. Esto permitiría crear dispositivos más pequeños, ligeros y que consumieran menos energía, ya que en reposo no sería necesario estar refrescando constantemente la memoria RAM. Además, Samsung afirma que crear chips que incluyan la RAM dentro es más barato que el coste de producción de la memoria flash, por lo que sería ideal para sensores del IoT, smartwatches y móviles.

Otras soluciones de otros fabricantes son la memoria PRAM, llamada 3D Xpoint, y que Intel y Micron ya comercializan, aunque de manera muy limitada y con un rendimiento algo inferior a la DRAM. La memoria Optane de Intel también ha sido un jarro de agua fría, pues el rendimiento de Intel Optane tampoco ha sido el esperado.

 

Fuente: Patentlyapple | adslzone

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