TSMC los empezará a fabricar en 2018
De hecho, Intel aseguró que para el año 2020, que es cuando tienen estimado lanzar los primeros procesadores para escritorio con arquitecturas de 7 nanómetros, ya no utilizarán silicio. Esto está todavía por ver, y si algunos competidores consiguen fabricar procesadores de silicio con este tamaño no deberían tener mayor problema en hacerlo ellos también.
Los procesadores con arquitectura ARM serán los que estrenen este nuevo proceso de fabricación de 7 nanómetros en 2018. Recordamos que en 2017 veremos el Qualcomm Snapdragon 835, que estará fabricado en un proceso de 10 nanómetros por Samsung. El fabricante en concreto que asegura que tendrá disponibles procesadores de 7 nanómetros en 2018 es TSMC.
ARM está trabajando conjuntamente con TSMC para hacer esto posible. Para ello, ARM ha compartido diseños, patentes y demás derechos de propiedad intelectual para permitir a TSMC fabricar estos procesadores en un tamaño tan reducido. La fabricación de estos procesadores empezaría en el año 2018. Samsung estaría cerca de anunciarlos también, mientras Intel ve los planes para estos procesadores más a largo plazo.
El futuro de los procesadores fabricados en arquitecturas ARM es realmente prometedor. Para empezar, se espera que haya servidores que los utilicen, con el fin de reducir al máximo el consumo de miles y miles de ordenadores, sobre todo con procesos de fabricación tan pequeños. Además, como vimos ayer, los procesadores Snapdragon podrán ejecutar versiones completas de Windows, por lo que habrá cada vez más dispositivos que utilicen procesadores ARM de bajo consumo emulando programas x86.
Posibles futuros materiales
El siguiente paso será pasar de los 7 a los 5 nanómetros, y se hablará sobre ello en la Electron Devices Meeting de San Francisco la semana que viene. En ella se hablará también de qué elementos podrán reemplazar al silicio, aunque será difícil debido a la baja cantidad de metaloides (semimetales) que conocemos.
Entre esos semimetales se encuentran el Boro, Silicio, Germanio, Arsénico, Antimonio, Telurio, Polonio y Astato. Samsung ha propuesto utilizar una aleación de silicio y germanio, mientras que Intel habla de utilizar combinaciones de otros elementos aparte de los semimetales, como el arseniuro de indio y galio, el cual tiene una mejor conductividad que el silicio.
